Seminario sobre Carácterización eléctrica de semiconductores III-V-N

Fuente: ISOM-UPM

El día 25 Octubre 2011 se celebra, organizado por Instituto de Sistemas Opto-electrónicos y microtecnología [ISOM] de la Universidad Politécnica de Madrid [UPM], el Seminario 'Resultados de la caracterización eléctrica de los semiconductores GalnAs, GalnNAs, InN y GaN', impartido por el Prof. Victor-Tapio Rangel Kuoppa del Instituto de Semiconductores y Estado Sólido de la Universidad Johanes Kepler de Linz (Austria), a las 16h en el Aula B6 del edificio García Redondo de la E.T.S.I. Telecomunicación, Ciudad Universitaria s.n. 28040 Madrid.

 

Los semiconductores III-V-N han atraído la atención últimamente, por su potencial para obtener anchos de banda que permitan la formación de láseres emitiendo a 1.3 y 1.55 µm, adecuados para comunicaciones por fibra óptica. En especial, en el caso de GaInNAs, una apropiada combinación de In y N permiten la formación de un cristal con la misma constante de red que el GaAs, lo que permitiría aprovechar toda la tecnología del GaAs. En el caso de InN y GaN, con anchos de banda 0.6 y 3.4 eV, respectivamente, sus aleaciones, junto con el ancho de banda de AlN (6 eV), permitiría la formación de celdas solares que cubrirían prácticamente todo el espectro de luz solar. Por lo anterior, es importante obtener las propiedades eléctricas de estos materiales.

En esta charla, el profesor Victor Tapio Rangel Kuoppa  comentará los resultados de la investigación que ha llevado a cabo durante su carrera profesional sobre la caracterización eléctrica de estos materiales.

Más información sobre los seminarios en: www.isom.upm.es